電子デバイスを勉強していて半導体中の電子濃度と正孔濃度の導出に困っています. フェルミ分布関数と状態密度を積分するのは分かりますがその具体的な積分の解き方が分かりません.
積分は (E-Ec)^1/2*{1+exp(E-Ef/KbT)}^-1*dE (積分範囲:Ec→∞)
(Ev-E)^1/2*{1+exp(Ef-E/KbT)}^-1*dE (積分範囲:−∞→Ev) Eで積分します.
Ef:フェルミエネルギー Ev:価電子帯エネルギー Ec:伝導体エネルギー T:絶対温度 Kb:ボルツマン定数
よろしくお願いします!
低温展開で良いのでしょうか? それであれば,ゾンマーフェルト展開で調べるといろいろ出てくるはずです. 統計力学のテキストにも,「低温展開」とか「ゾンマーフェルト展開」という題で必ず書いてあります.