ゆーと さんの書込 (2009/01/19(Mon) 20:12)

大学2年・電気電子工学科の電子物性という科目で半導体について学んでいるのですが，どうも真性半導体・不純物半導体のキャリア密度の違いが分かりません

・「真性半導体」・・・・価電子帯から伝導帯への電子の熱励起によって，価電子では正孔が，伝導帯では電子がキャリアとなる． ・「不純物半導体」・・・多数キャリア・少数キャリア

具体的に何が違うのですか？「真性半導体は全温度領域で価電子帯から伝導帯への電子の熱励起によってキャリアとなるのに対し，不純物半導体は温度領域によってキャリア密度が変わる．」これが真性半導体と不純物半導体の違いで良いのでしょうか？

ゆーと さんのレス (2009/01/19(Mon) 21:17)

上記の質問，自分で読んでわかりにくいと思います，すいません． 調べてみたところ ・真性半導体：電子密度＝正孔密度 ・不純物半導体（n型）：電子密度（多数キャリア）＞正孔密度（少数キャリア） ・不純物半導体（p型）：電子密度（少数キャリア）＜正孔密度（多数キャリア） とありました． これが，真性半導体と不純物半導体のキャリア密度の違いということでよろしいのでしょうか？